Samsung lanza RAM DDR4 SO-DIMM de 32 GB a 10 nm
Este nuevo dispositivo es un 11 por ciento más rápido y aproximadamente un 39 por ciento más eficiente en su energía que las RAM de 20 nm.
Samsung anunció que comenzó a producir la primera memoria RAM DDR4 SO-DIMM de 32 GB a 10 nm para portátiles gaming. Comparado con las memorias DDR4 SO-DIMM de 16GB, construidas en un proceso de 20nm, lanzadas en 2014, el nuevo módulo de 32GB duplica la capacidad. También es un 11 por ciento más rápido y aproximadamente un 39 por ciento más eficiente en su energía.
Es decir, una laptop con 64 GB configurado con dos módulos DDR4 de 32 GB consume menos de 4,6 vatios en modo activo, y menos de 1,4 vatios en estado de inactividad. Este proceso de fabricación a 10nm de la firma también se extenderá a dispositivos móviles, gráficos, PCs y servidores, y luego al de las supercomputadoras y las automotrices.
