Intel Foundry y ASML colaboran para la adopción de la litografía EUV High-NA

Esta semana, en la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, Intel Foundry y ASML destacaron los continuos avances para llevar a producción la litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta apertura numérica (High-NA) y el desarrollo de las tecnologías que darán forma a su futura adopción.

En concreto, Intel Foundry y ASML compartieron las siguientes novedades:

• La tecnología High-NA se sigue utilizando actualmente en la fabricación de alto volumen en Intel Foundry. Hasta la fecha, se han procesado más de un millón de obleas a través de la certificación y pruebas iniciales en los equipos, esfuerzos de investigación y desarrollo, y la producción en volumen de capas seleccionadas para un subconjunto de procesadores Intel® Core™ Ultra Serie 3, cuyo nombre en código es Panther Lake. La precisión de superposición (overlay), la capacidad de procesamiento (throughput) y la disponibilidad de los equipos están cumpliendo con las expectativas de Intel Foundry.
• Los productos fabricados en el nodo Intel 18A, que utilizan High-NA para capas específicas, continúan ofreciendo un rendimiento que iguala o supera al de capas similares grabadas mediante la plataforma NXE (EUV con una apertura numérica de 0.33).
• Los clientes pueden aprovechar las ventajas de High-NA utilizando el formato actual de fotomáscaras de la industria, ya sea mediante la planificación del diseño (floor-planning) en una máscara de 6 pulgadas o empleando las capacidades de unión de patrones (stitching) y las soluciones del kit de diseño de procesos (PDK) de Intel Foundry.
• Durante más de tres años, Intel Foundry ha liderado la iniciativa del formato de máscaras de gran tamaño para alinear el ecosistema. Para ello, se ha trabajado en estrecha colaboración con ASML, fabricantes de máscaras, proveedores de automatización, socios de automatización de diseño electrónico (EDA), proveedores de materiales y fabricantes de semiconductores para avanzar en los estándares, la infraestructura y la tecnología necesarios para respaldar la futura escalabilidad de High-NA.

‘Intel Foundry ha sido uno de los principales líderes en la adopción de la tecnología High-NA en la industria, desde la instalación del primer sistema comercial EXE en 2024 y la validación de la última generación de equipos, hasta el envío del primer producto lógico de alto volumen fabricado con High-NA’, señaló Christophe Fouquet, presidente y CEO de ASML. ‘ASML reconoce el papel pionero de Intel Foundry en la tecnología High-NA y sus innovaciones para ofrecer valor hoy en día con las máscaras de 6 pulgadas, así como su apoyo incondicional a la evolución de las máscaras de 6×12 pulgadas’.

“Las empresas que desarrollan los productos de IA del futuro, cada vez más complejos, necesitan innovaciones de fabricación que estén listas para entrar en producción y sean fáciles de usar”, afirmó Naga Chandrasekaran, vicepresidente ejecutivo y codirector general de Intel Foundry. ‘Dentro de nuestras capacidades de litografía, Intel Foundry se centra en la habilitación a corto plazo de High-NA en máscaras de 6 pulgadas, con o sin técnicas de stitching, y en facilitar la transición hacia las máscaras de 6×12 pulgadas. Seguiremos trabajando estrechamente con ASML y con toda la industria para hacer posible esta transición’.

Intel Foundry y ASML se apoyan en años de colaboración para unificar el ecosistema litográfico en torno a fotomáscaras de mayor formato, ayudando a impulsar los estándares, la infraestructura y los avances tecnológicos necesarios para soportar el futuro escalado de la litografía EUV High-NA. Trabajando junto a fabricantes de máscaras, proveedores de automatización, socios de EDA, proveedores de materiales y fabricantes de semiconductores, ambas empresas han ayudado a trazar el camino de la industria hacia formatos de máscara más grandes, al mismo tiempo que permiten a los clientes disfrutar hoy mismo de las ventajas del EUV High-NA.

Presentaciones en la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography

Esta semana, en la conferencia SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography, Intel Foundry y ASML compartieron novedades sobre el stitching de retículas, una técnica que permite a los diseñadores usar EUV High-NA con las máscaras estándar actuales de 6 pulgadas. Jan van Schoot, de ASML, presentó Requisitos del escáner y la máscara para soportar la unión de medio campo (half field stitching) el martes 8 de septiembre. Después, Kimberly Pierce, de Intel Foundry, presentó EUV High-NA: el stitching en la fabricación en la misma sesión.

Seguiremos brindándote más información sobre este tema en las siguientes presentaciones físicas y digitales de Channel News Perú

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