Micron lanza memoria 3D NAND Flash para móviles de gama alta

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Micron ha anunciado nuevas soluciones de memoria 3D NAND Flash de 64 capas y segunda generación compatibles con el estándar Universal Flash Storage (UFS) 2.1, dirigidas principalmente a los smartphones de gama alta y tope de gama.

En total Micrón ha confirmado el lanzamiento de tres grandes versiones de memorias: una básica con 64 GB de capacidad, una más avanzada con 128 GB de capacidad y la versión superior que alcanza los 256 GB de capacidad de almacenamiento.

Estas nuevas soluciones móviles se basan en células de triple nivel (TLC) de Micron y utilizan tecnología 3D NAND de 64 capas. Esto quiere decir que están construidas con uno de los procesos más avanzados del sector y gracias a su compatibilidad con UFS 2.1 son capaces de ofrecer un alto nivel de rendimiento.

La capacidad de almacenamiento es un elemento fundamental de cualquier smartphone, pero no se debe valorar únicamente desde el punto de vista del total de gigabytes sino también teniendo en cuenta su tecnología base y su rendimiento. Esto es básico, ya que sólo si sabemos diferenciar ambas claves podremos recomendar con mayor acierto un smartphone concreto a nuestros

Hoy por hoy los 64 GB se han convertido en el estándar de los smartphones tope de gama, pero se espera que suban hasta 1 TB (1.000 GB) en 2021.

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