Intel Solid-State Drive 335 Series hace su debut y utiliza la memoria NAND Flash de 20 nanómetros líder en la industria
Intel Corporation anunció que está fabricando su primer Drive de Estado Sólido (SSD, por sus siglas en inglés), con proceso tecnológico, líder en la industria, de 20 nanómetros (nm) para la memoria NAND Flash.
El nuevo Intel Solid-State Drive 335 Series (Intel SSD 335 Series) utiliza la menor y la más eficiente célula Multi-level NAND Flash disponible en el mercado, permitiendo que Intel avance sus SSDs 300 Series para clientes/consumidores hasta la próxima generación. Los SSDs ofrecen a los usuarios un avance general en el desempeño de la PC, acelerando la productividad de las aplicaciones y de otras actividades computacionales, como la navegación en la Web, la reproducción de films, los chats con videos y la creación de contenido.
El Intel SSD 335 Series es un Drive SATA de 6 gigabit por segundo (Gb/s), que puede substituir un disco duro tradicional, que opera más lentamente, por un acceso más veloz a los archivos y programas. El Intel SSD 335 ofrece una capacidad de 240 gigabytes (GB) y una velocidad de lectura secuencial de 500 megabytes por segundo (MB/s), así como una velocidad de grabación secuencial de 450 MB/s, que ofrecen a los usuarios una combinación de desempeño innovador y la calidad Intel a un precio asequible.
El producto es el primer SSD de Intel a utilizar la más reciente memoria NAND Flash de 20nm desarrollada por IM Flash Technologies (IMFT). Anunciado en abril, y enviados a los clientes a principios de diciembre de 2011, la NAND de 20nm de IMFT utiliza una nueva estructura de célula que habilita un mayor aumento en el número de células, comparadas a las arquitecturas convencionales. La NAND de 20nm y de 64Gb utiliza una estructura de célula plana –la primera de la industria– para superar las dificultades inherentes que acompañan los procesos tecnológicos avanzados, habilitando desempeño y fiabilidad de la misma forma que la generación anterior de 25nm. La estructura plana de la célula termina de forma exitosa con las limitaciones de escala del estándar de células NAND flotante, integrando el primer conjunto HI-K/metal Gate a la producción NAND.
