Intel y Numonyx B.V.

Loading

memoria_270Intel y Numonyx B.V. (un joint-venture entre Intel y STMicroelectronics) anunciaron un logro clave en la investigación en torno a la memoria de cambio de fase (PCM, phase change memory), una nueva tecnología de memoria no volátil que combina muchos de los beneficios de los tipos de memorias actuales.
Por primera vez, los investigadores han demostrado un chip de prueba de 64 Mb que habilita el apilado de múltiples capas de hileras de PCM (phase change memory) en una única pieza de silicio. Este hallazgo allana el camino para construir dispositivos de memoria con mayor capacidad y menor consumo de energía y espacio, tanto para usos de RAM no volátil como de almacenamiento.
Los logros en torno a la memoria PCM son el resultado de un programa de investigación colaborativa entre Numonyx e Intel, el cual se ha enfocado en la exploración de hileras de celdas PCM apiladas o multicapa. Los investigadores de ambas empresas demostraron el funcionamiento de de una celda de memoria integrada verticalmente, llamada PCMS (Phase Change Memory and Switch). La posibilidad de aplicar las hileras de PCMS brinda escalabilidad a mayores densidades de memoria, sin perder las características de performance de PCM; un desafío que se vuelve cada vez más difícil de superar con las tecnologías de memoria tradicionales.
Las celdas de memoria se construyen mediante el apilado de un elemento de almacenamiento y un selector, con varias celdas que crean hileras de memoria. “Los resultados son extremadamente prometedores”, dijo Greg Atwood, un experto en tecnología de Numonyx. “Esto es importante por el hecho de que las tecnologías de memoria flash tradicionales enfrentan ciertos límites físicos y cuestiones de confiabilidad, a la vez que la demanda por más memoria continúa elevándose en todas las áreas, desde teléfonos móviles a centros de datos”.

Notas Relacionadas

Leave a Reply

Tu dirección de correo electrónico no será publicada. Los campos obligatorios están marcados con *